东方算芯DF1000发布：不用HBM，3D堆叠+软件定义开辟国产AI芯片新路线
7月13日，东方算芯正式发布首款可量产AI芯片DF1000。这款芯片最大的突破在于完全绕开了对HBM的依赖，采用DRAM+LOGIC晶圆级混合键合3D垂直封装技术，通过"软件定义近存计算"架构，在成熟制程上实现了接近先进制程芯片的算力表现。
破解"存储墙"：3D堆叠替代HBM
当前AI大模型训练和推理的最大瓶颈不在算力本身，而在于存储带宽——业界称为"存储墙"或"带宽墙"。HBM虽然通过多层DRAM堆叠缓解了这一问题，但其供应高度集中于SK海力士、三星和美光三家，且需要通过硅中介层与计算芯片连接，封装复杂、成本高昂。
东方算芯DF1000的做法是直接从晶圆级别将逻辑计算层与存储层进行混合键合，将互连间距从传统的数十微米压缩至亚微米级别。据官方数据，这一方案的访存带宽达到HBM方案的5倍以上，同时因为数据传输路径大幅缩短，功耗也显著下降。
软件定义芯片：提升有效算力的另一半
仅靠硬件架构创新还不够。DF1000的另一核心技术是"软件定义芯片"——这项源自清华大学微电子所近20年研究积累的技术，能够让硬件随任务动态重构，减少资源闲置。
DF1000采用粗粒度可重构计算架构，配合专用集合通信处理器、张量和向量计算单元的复用设计，使硬件资源在不同工作负载中灵活映射，有效提升了成熟制程芯片的实际算力利用率。
从芯片到集群：完整产品矩阵亮相
发布会上，东方算芯同步推出了从单卡到集群的完整产品线：DF1000加速卡、TY64超节点、QY100服务器和HS512智算集群。值得关注的是，DF1000已完成完整流片验证，并实现了128卡集群的全功能稳定运行，这意味着该方案已从实验室走向系统级工程验证阶段。
商业化仍有长路
尽管技术路线令人振奋，DF1000的商业化道路仍面临多重挑战。3D堆叠技术的良率瓶颈是核心物理约束——即使逻辑层和DRAM层各自良率达到90%，两层堆叠后的整体良率也仅为81%，三层则降至72.9%。此外，从兼容开源生态到形成成熟开发者社区，中间可能还需要数年乃至十数年的建设周期。
但无论如何，DF1000的发布向行业传递了一个明确信号：在外部供应链受限的背景下，中国AI芯片产业正通过源头架构创新，探索出一条区别于"先进制程+HBM"的新路径。
发布于：上海
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