英伟达推定制HBM计划 三星台积电联合开发3纳米芯片
【英伟达定制HBM计划促成罕见合作，#三星将与台积电联合开发芯片#】随着人工智能市场对高带宽内存（HBM）的需求不断攀升，英伟达正在推动一项前所未有的供应链整合计划。
根据最新消息，英伟达为下一代AI加速器开发的定制高带宽内存NVHBM，将促使长期竞争的三星电子和台积电展开合作，共同打造基于3纳米工艺的基底芯片（Base Die）。
报道称，三星在HBM产品开发上历来采用“交钥匙”模式，即核心存储芯片（Core Die）与基底芯片均由自身完成设计和制造。
然而，英伟达定制版NVHBM对制造流程提出了更严格的标准化要求，因此三星与台积电被要求共同参与3纳米基底芯片的开发工作，以形成统一产品规范，并减少后续质量验证步骤。
除三星外，美光和SK海力士同样被纳入这一计划。英伟达希望通过统一制造流程，使不同供应商提供的HBM产品能够实现一致性能表现。（快科技）
发布于：北京
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