外媒：High NA EUV 光刻技术在 intel 进入高量产阶段
（来源：芯闻眼）
据外媒报道：荷兰ASML新近发布声明表示，英特尔晶圆代工 （Intel Foundry） 已成功在生产环境中部署 ASML 的高数值孔径极紫外光 （High NA EUV） 技术，并正式投入高量产阶段。未来，英特尔与 ASML 将持续针对 High NA EUV 的量产准备保持紧密合作，并将根据客户需求，弹性地将该技术导入未来的先进制程节点。
随着此次重大宣告，英特尔晶圆代工正式成为业界第一家使用 High NA EUV 技术出货高量产逻辑产品的企业。
据称：这项最尖端的光刻技术目前应用于 intel 18A 制程节点，主要用于生产部分代号为 「Panther Lake」 的 Intel Core Ultra Series 3 处理器。
ASML 指出，特定的 Intel 18A 芯片层已在美国俄勒冈州厂区通过 High NA EUV 的双重认证，且目前出货给客户的产品良率，已经可以与现有的 NXE 平台相媲美。透过在特定芯片层采用 High NA EUV 进行图案化，ASML 与英特尔得以收集宝贵的数据，进一步优化系统设定、提升运行时间与实际制造导入，为未来全面发挥该技术潜力、扩大采用范围铺路。
ASML 总裁暨CEO Christophe Fouquet 表示，High NA EUV 带来了更高的解析度与更佳的制程控制，标志着半导体光刻技术的重大发展。这将进一步加速 AI 与其他新兴科技的进展。
英特尔晶圆代工执行副总裁暨总经理 Naga Chandrasekaran 则强调，这项里程碑展现了英特尔与 ASML 之间密切的技术合作，并证明 High NA EUV 能够规模化地整合至先进半导体制造领域。他认为，藉由在精选的 Intel 18A 产品层上验证此制程选项，不仅能利用现有设备为客户增加产能，也为未来节点实现顶尖效能、密度及制造弹性开发了更多选择。
据了解，英特尔与 ASML 早在 2024 年便于俄勒冈州希尔斯伯勒（Hillsboro）研发中心，完成了业界首台商用 High NA EUV 光刻系统的整合。英特尔同时也是全球首家安装并通过第二代系统 TWINSCAN EXE:5200B 验收测试的企业；该系统建构于前一代的基础上，不仅配备改良的光源，更进一步提升了产出量与迭对精度。
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