存储芯片扩产：HBM（高带宽内存）制备设备厂商梳理
（来源：伏白的交易笔记）
前言：全球存储产业景气度高增，晶圆厂扩产带动上游设备强劲需求。
一. HBM概览
高带宽内存（HBM）是一种基于3D堆叠工艺的高性能DRAM，专为AI服务器GPU设计。
HBM自2013年推出以来，目前已迭代至HBM4，全球市场呈三强垄断格局，SK海力士、三星、美光合计占据95%以上份额。
1.1 封装原理
HBM采用“3D堆叠+2.5D集成" 架构，与GPU封装在同一基板，形成三层结构：芯片层、中介层、基板层。
（1）3D堆叠：将4-16层DRAM Die垂直堆叠，并通过硅通孔（TSV）、微凸块（Microbump）实现互联。
（2）2.5D封装：通过硅中介层（Interposer）连接HBM堆栈与GPU，并紧密封装，主要采用台积电CoWoS工艺。
1.2 主要特点
（1）优点：超高带宽、较低功耗、小体积、适合高密度部署场景。
（2）挑战：技术门槛高（TSV、微凸点、2.5D封装）、制造成本高（工艺复杂、良率低）、散热要求高（高集成度）。
二. HBM制备核心环节
2.1 硅通孔（TSV）制备
（1）目的：价值量最高环节，在晶圆内钻孔并填充导电材料，实现垂直互连；并在孔壁沉积绝缘层，提供电气隔离。
（2）工艺步骤：深硅刻蚀（DRIE）→绝缘层沉积→阻挡层/种子层沉积→电镀填充→晶圆减薄→表面平坦化。、
（3）全球龙头：应用材料、泛林半导体、东京电子。
（4）国内厂商：中微公司（深硅刻蚀设备）、北方华创（TSV全流程设备）、微导纳米（ALD沉积设备）、华海清科（CMP/减薄设备）。
2.2 微凸块制备
（1）目的：在DRAM Die表面形成微小金属凸点，实现Die与Die、Die与中介层的电气连接，替代传统引线键合。
（2）工艺步骤：凸点下金属化（UBM）→光刻显影→凸块电镀→回流成型。
（3）全球龙头：应用材料、东京电子。
（3）国内厂商：芯源微（涂胶显影设备）、盛美上海（电镀铜/清洗设备）。
2.3 堆叠键合
（1）目的：将多个DRAM Die精准对齐并键合，HBM4开始从热压键合（TCB）向混合键合（Cu-Cu）过渡，大幅提升互联密度。
（2）工艺步骤：表面活化→临时键合与解键合→永久键合→堆叠固化。
（3）全球龙头：EVG、东京精密。
（4）国内厂商：拓荆科技（混合键合设备）。
2.4 检测与量测
（1）目的：HBM堆叠层数增加对检测精度要求极高，检测设备价值量提升。
（2）工艺步骤：外观检测、缺陷检测、电气测试、可靠性测试等。
（3）全球龙头：科磊、爱德万、泰瑞达。
（4）国内厂商：赛腾股份（缺陷检测设备）、精测电子（AOI/量测设备）、中科飞测（光学检测设备）、精智达（电性能测试设备）。
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